Agência FAPESP – O Instituto de Física de São Carlos (IFSC) da Universidade de São Paulo (USP) dispõe de uma oportunidade de Bolsa de Pós-Doutorado no âmbito do Projeto Temático , apoiado pela FAPESP.
O bolsista atuará no desenvolvimento do projeto de pesquisa “Um sensor átomo-plásmon integrado”. Segundo o coordenador do projeto, átomos são sensores extremamente sensíveis para forças fracas, mas, para medir o seu estado com alta fidelidade, precisam acoplar fortemente com um campo de luz, que faz a leitura desse estado e traz a informação para um detector.
O objetivo do projeto é estudar experimentalmente a realização possível de sensores quânticos baseados em átomos aprisionados perto da superfície nanoestruturada de um microchip ou de um metamaterial fotônico.
O bolsista construirá experimentos para estudar as propriedades fotônicas do microchip, resfriar átomos opticamente até temperaturas de microKelvin e trazê-los perto do microchip, tentando obter um acoplamento forte entre os átomos e modos de luz evanescentes ou plasmônicos.
Para se candidatar, é preciso enviar carta de interesse, currículo atualizado e dados de contato de dois pareceristas para o coordenador do projeto, professor Philippe Wilhelm Courteille ([email protected]).
A data-limite para inscrição é 1º de junho de 2015. A oportunidade está publicada em: . A vaga está aberta a brasileiros e estrangeiros.
O selecionado receberá Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 6.143,30 mensais e Reserva Técnica. A Reserva Técnica de Bolsa de PD equivale a 15% do valor anual da bolsa e tem o objetivo de atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.
Caso o bolsista de PD resida em domicílio diferente e precise se mudar para a cidade onde se localiza a instituição sede da pesquisa, poderá ter direito a um Auxílio-Instalação. Mais informações sobre a Bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em .
Outras vagas de Bolsas de Pós-Doutorado, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades, em.